某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。  

  A．增强型N沟道场效应管

  B．耗尽型N沟道场效应管

  C．增强型P沟道场效应管

  D．耗尽型P沟道场效应管

(1)利用图解法求解Q点;

(2)利用等效电路法求解A_u、R_i和R₀.

图P2.21

已知图3-22(a)所示电路中场效应管的转移特性如图3-22(b)所示。求解电路的Q点和A_v。

已知图3-20(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图3-20(b)、(c)所示。

A、NMOS增强型

B、PMOS增强型

C、NMOS耗尽型

D、PMOS耗尽型

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，分别画出u_DS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。

某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管，其开启电压或夹断电压为______V。