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[主观题]

某场效应管的转移特性如图1.3所示,其中电流ID的参考方向为流入漏极,则该场效应管的类型为()。 A.增强型N

某场效应管的转移特性如图1.3所示,其中电流ID的参考方向为流入漏极,则该场效应管的类型为( )。

A.增强型N沟道场效应管

B.耗尽型N沟道场效应管

C.增强型P沟道场效应管

D.耗尽型P沟道场效应管

某场效应管的转移特性如图1.3所示,其中电流ID的参考方向为流入漏极,则该场效应管的类型为(   )

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假设以双亲表示法作树的存储结构,写出双亲表示的类型说明,并编写求给定的树的深度的算法。(注:已知树中结点数)【清华大学1994七(15分)】

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稀疏矩阵的带行指针数组的二元组表示是更节省存储的存储表示。(1)写出带行指针数组的二元组表

稀疏矩阵的带行指针数组的二元组表示是更节省存储的存储表示。

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