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[单选题]

在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准,该工序称为

A.对准

B.套刻

C.光刻

D.刻蚀

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第1题

在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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第2题

通过在波片或硅片上制作各种微泵、阀、微电泳以及微流路,将生化分析功能浓缩固化在生物芯片上称 ( )

A、基因芯片

B、蛋白质芯片

C、芯片实验室

D、组织芯片

E、细胞芯片

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第3题

通过在波片或硅片上制作各种微泵、阀、微电泳以及微流路,将生化分析功能浓缩固化在生物芯片上称

A.基因芯片

B.蛋白质芯片

C.细胞芯片

D.组织芯片

E.芯片实验室

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第4题

将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?
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第5题

制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚;干涉条纹测出其厚度,已知的Si的折射率为3.42 , Si02的折射率为1.5.用氦氖激光(=632.8nm)垂直照射,在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,求Si02薄膜的厚度.

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第6题

制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚干涉条纹测出其厚度.已知Si的折射率为3.42,SiO2的折射率为1.5.用氦氖激光(λ=632.8nm)垂直照射,在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,求SiO2薄膜的厚度.

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第7题

世界上首位“芯片人”是将一个硅片脉冲转发器植入()。

A腹腔

B大脑

C手臂

D大腿

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第8题

求解硅片的限定源扩散问题,将硅片的厚度当作无限大,这是半无界空间的定解问题.

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第9题

利用半导体制作工艺,将器件和电路中的元件制作在一片硅片上, 构成特定功能的电子电路,称为集成电路。()

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第10题

为了测量硅片上氧化膜的厚度,常用化学方法将薄膜的一部分腐蚀掉,使之成为劈形(又称为台阶),如图9-3所示.用单色光垂直照射到台阶上,就出现明暗相间的干涉条纹.数出干涉条纹的数目,就可确定氧化硅薄膜的厚度.若用钠黄光照射,其波长λ=5893

,在台阶处共看到5条明条纹.已知氧化硅的折射率为n2=1.5,硅的折射率为n3=3.42.求膜的厚度.

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