制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一

制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使它成为劈尖，利用等厚干涉条纹测出其厚度．已知Si的折射率为3．42，SiO2的折射率为1．5．用氦氖激光(λ=632．8nm)垂直照射，在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹，求SiO2薄膜的厚度．