氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

A.2.12eV

B.1.12eV

C.1.6eV

D.1.5eV，并且在一定程度上可调

A.1.6--1.7eV

B.1.5--1.6eV

C.1.7--1.8eV

D.1.1--1.2

A.1.6--1.7eV

B.1.5--1.6eV

C.1.7--1.8eV

D.1.1--1

A.四氯化硅法

B.1.5--1.6eV

C.1.7--1.8eV

D.0.5A

A.转换效率

B.短路电流

C.填充因子

D.开路电压

A.1.6～1.7

B.1.5～1.6

C.1.7～1.8

D.1.1～1.2