A. 铜
B. B.硅
C. C.铝
D. D.玻璃
第1题
B.硅
C.铝
D.玻璃
第2题
B、Ge
C、氮化镓
D、砷化镓
第3题
第4题
C.钠
D.碳
第5题
此题为判断题(对,错)。
第6题
A、半导体材料
B、绝缘材料
C、导电材料
D、导体材料
第7题
A、位错密度
B、电阻率
C、非平衡载流子寿命
D、禁带宽度
E、载流子迁移率
第8题
A、载流子迁移率
B、非平衡载流子寿命
C、禁带宽度
D、电阻率
E、位错密度
第9题
A、禁带宽度
C、载流子迁移率
D、非平衡载流子寿命
第10题
B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D、易于进行n型和p型掺杂
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