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[多选题]
化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是()。
A.抛光机
B.抛光液
C.抛光垫
D.后清洗设备
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A.抛光机
B.抛光液
C.抛光垫
D.后清洗设备
第1题
B、CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷
C、需要配套的设备、材料、工艺控制技术,这是一个需要开发、提高的系统工程
D、设备、技术、耗材比较便宜,维护也较为简单
第2题
A.系统的联系及其影响
B.系统的部分及其属性
C.系统的环境及其界限
D.系统的输入与输出
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