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[多选题]

氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺,主要应用于()方面。

A.大马士革工艺

B.层间介质(ILD)CMP

C.浅沟槽隔离(STI)CMP

D.钨的CMP

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第1题

化学机械抛光CMP工艺是最先进最广泛应用的抛光技术,抛光技术非常成熟,不会产生任何缺陷。()

此题为判断题(对,错)。

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第2题

下面选项中不属于化学机械抛光CMP工艺缺点的选项是?()
A、影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制

B、CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷

C、需要配套的设备、材料、工艺控制技术,这是一个需要开发、提高的系统工程

D、设备、技术、耗材比较便宜,维护也较为简单

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第3题

化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是()。
A、抛光机

B、抛光液

C、抛光垫

D、后清洗设备

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第4题

半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。

A.集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路

B.集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高

C.集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片

D.集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

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第5题

氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。()

此题为判断题(对,错)。

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第6题

下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是()。
A、平坦化不同的材料,各种各样的硅片表面能被平坦化

B、在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用

C、能获得全局平坦化

D、由于减小了表面起伏,从而能改善金属台阶覆盖

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第7题

什么是化学机械抛光?
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第8题

化学机械抛光设备中的抛光垫越粗糙,抛光速率越高,抛光图形的选择性越高,平坦化抛光的效果也越好,但过于粗糙,易产生划痕。()

此题为判断题(对,错)。

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第9题

金属CMP的机理与氧化硅抛光的机理差不多。()

此题为判断题(对,错)。

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第10题

氧化硅的CMP抛光中,氧化层用CMP抛光至特定的厚度,因为没有抛光停止层,ILD氧化层抛光需要有效的终点检测。()

此题为判断题(对,错)。

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