（1)将反应H₂（p^θ)+I₂（s)=2HI（a=1)设计成电池;（2)求此电池的E^θ及电池反应2

(1)将反应H₂(p^θ)+I₂(s)=2HI(a （1)将反应H2（pθ)+I2（s)=2HI（a=1)设计成电池;（2)求此电池的Eθ及电池反应2( =1)设计成电池;(2)求此电池的E^θ及电池反应25℃时的K^θ;(3)若反应写成H₂(p^θ)+ I₂(s)=HI(a=1),电池的E^θ及反应的K^θ之值与.(2)相同否？为什么？

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第1题

将下列化学反应设计成电池:(1)Zn+Cd2+(a_Cd2+)=-Zn2+(a_Zn2+)+Cd;(2)Cl₂(p_Cl2)

将下列化学反应设计成电池:

(1)Zn+Cd2+(a_Cd2+)=-Zn2+(a_Zn2+)+Cd;

(2)Cl₂(p_Cl2)+2I^-(aI-)=I₂(s)+2CI-(a_C1-);

(3)Pb+2HCl(a)=PbCl₂(s)+H₂(p_H2);

(4)(1/2)H₂(p_H2)+AgCl(s)=Ag+HCl(a);

(5)H₂(p_H2)+I2(s)=2HI(a).

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第2题

设计一个数字切贝雪夫I型带通德波器,给定指标为(1)波纹R_p≤2dB,当200Hz≤/≤400Hz(2)衰减A_s≥20dB,当f<100Hz.f≥>600Hz(3)抽样频率f_s=2kHz试用①冲激响应不变法,②双线性变换法进行设计,最后写出H(z)的表达式，并画出系绕的幅频响应特性(dB).

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第3题

若有如下程序： int s[3] [3]={'a'，'b'，'C'，'d'，'e'，'f'，'g'，'h'，'i'}，*t； main() {t：(int*)malloc(sizeof(int))； sub(t，s)； printf("%c\n"，*t)； } sub(int*p，int b[][3]) {*p=b[2][1]； } 则程序运行后的输出结果是( )。

A．d

B．e

C．h

D．b

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第4题

有一圆柱形导体，截面半径为a，电阻率为ρ，有电流I_p均匀分布于截面内，求：(1)导体内距轴线为r处某点的E的大小和方向;(2)该点H的大小和方向;(3)该点坡印廷矢量S的大小和方向;(4)计算该导体长度为l，半径为r的部分消耗的能量。试比较(3)，(4)说明了什么?

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第5题

将下列反应设计为电池:Cd+I2(s)=Cd²⁺+(a_Cd2+=1.0)⁺²I(a_I-=1.0).(1)求该

将下列反应设计为电池:Cd+I2(s)=Cd²⁺+(a_Cd2+=1.0)⁺²I(a_I-=1.0).

(1)求该电池在298K时的E^θ,反应的,(所儒电极电势数据可查表).