直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

A.1234

B.123

C.1456

D.4567

A.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长

B.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长

C.加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长

D.加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大

B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦

C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减

D.增大坩埚内径与晶体直径的比值

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包

D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包