单结GaAs太阳电池的转换效率已达()。

传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而()。

A、未知

B、升高

C、下降

D、不变

薄膜电池迅速发展的最大优势是()。

A、转换效率提高空间大

B、利用范围更加广泛

C、对环境危害小

D、成本优势

()是晶体中最常见的一类晶体缺陷。

A、载流子迁移率

B、禁带宽度

C、电阻率

D、位错

()是制造光伏器件和微波器件及集成电路的重要材料。

A、锑化锢

B、磷化锢

C、碳化硅

D、砷化镓

将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因一一对应。

1).反射遮荫等光学损失

A、P/N结区复合

B、封装材料透光率

C、逆变器等电器损耗

2).载流子复合损失

A、P/N结区复合

B、封装材料透光率

C、逆变器等电器损耗

3).连接转换等电学损失

A、P/N结区复合

B、封装材料透光率

C、逆变器等电器损耗

将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。

1).断线

A、切割工艺出现异常

B、硅棒对接位置不好

C、加工好的硅片在空气中停留时间过长

2).跳线

A、切割工艺出现异常

B、硅棒对接位置不好

C、加工好的硅片在空气中停留时间过长

3).花片

A、切割工艺出现异常

B、硅棒对接位置不好

C、加工好的硅片在空气中停留时间过长

将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。

1).单晶硅太阳电池

A、12%

B、20.4%

C、25%

2).多晶硅太阳电池

A、12%

B、20.4%

C、25%

3).非晶硅单结太阳电池

A、12%

B、20.4%

C、25%

将下列硅太阳电池发展历程一一对应。

1).1958年

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

2).20世纪70年代初

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

3).20世纪80年代初

A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用

B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中

C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

将下列硅片几何尺寸参数一一对应。

1).THK

A、厚度

B、总厚度偏差

C、翘曲度

2).TTV

A、厚度

B、总厚度偏差

C、翘曲度

3).Warp

A、厚度

B、总厚度偏差

C、翘曲度