将下列硅片几何尺寸参数一一对应。1).THKA、厚度B、总厚度偏差C、翘曲度2).TTVA、厚度B、总厚度偏差C
将下列硅片几何尺寸参数一一对应。
1).THK
A、厚度
B、总厚度偏差
C、翘曲度
2).TTV
A、厚度
B、总厚度偏差
C、翘曲度
3).Warp
A、厚度
B、总厚度偏差
C、翘曲度
将下列硅片几何尺寸参数一一对应。
1).THK
A、厚度
B、总厚度偏差
C、翘曲度
2).TTV
A、厚度
B、总厚度偏差
C、翘曲度
3).Warp
A、厚度
B、总厚度偏差
C、翘曲度
第1题
将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1).元素半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
2).化合物半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
3).无定形半导体材料
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
第2题
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1).禁带宽度
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
2).电阻率、载流子迁移率
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
3).非平衡载流子寿命
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
第3题
将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1).多晶硅
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
2).非晶硅单结
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
3).非晶硅多结
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
第10题
直拉单晶硅和()应用最为广泛,占太阳能光电材料的90%左右。
A、铸造多晶硅
B、薄膜非晶硅
C、带状多晶硅
D、薄膜多晶硅
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