发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高()，反而会使其()。

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()

A.发射区掺杂浓度高，集电结面积大

B.发射区掺杂浓度高，集电结面积小

C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小

D.发射区掺杂浓度低，集电结面积大

A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小

B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大

C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小

D.发射区掺杂浓度第低，集电结面积大

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

A.发射区的掺杂浓度比基区要低

B.集电结面积可大可小，对三极管无影响

C.发射区掺杂浓度可大可小，对三极管无影响

D.发射区、基区、集电区中，发射区掺杂浓度要最高

A.基区很薄且掺杂浓度很低

B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D.集电区面积大于发射区面积

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D、考虑发射效率公式，放大系数减小

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂