晶片加工工模拟习题及答案（二）
[主观]
类质同像的条件是什么？研究意义是什么？
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[主观]
Fd3m是晶体的什么符号？从该符号中可以看出该晶体是属于什么晶系？具什么格子类型？有些什么对称要素？
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[判断]
晶片厚度与晶片的频率密切相关，晶片厚度越厚，频率越低（）
是否
[判断]
压电晶片的压电应变常数大，则说明该晶片接收性能好。()
是否
[主观]
涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（)。
A.进行去水烘烤以保证晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E.也可以直接使用贮存的晶片
此题为多项选择题。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[单选]
探头中使用压电陶瓷晶片的优点是()。
A .激励电脉冲的宽度B .发射电路阻尼电阻的大小C .晶片的材料和厚度D .晶片的机电耦合系数
[单选]
晶片共振波长是晶片厚度的（)。
A .A.2倍B .B.1/2倍C .C.1倍D .D.1/4倍
[判断]
压电晶片的压电应变常数(d33)大,则说明该晶片接收性能好。()
是否
[单选]
波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且()。
A .频率或晶片直径减少时增大B .频率或晶片直径减少时减少C .频率增加而晶片直径减少时减少D .以上都不对
[判断]
超声波检测用的探头中，置于压电晶片背面的阻尼块有三个基本作用，第一是用于固定晶片位置，第二是用于吸收晶片背面的超声波，第三是用于减少晶片持续振动时间，从而使得脉冲宽度变窄()
是否
[主观]
产生砂金效应的原应是：日光石中的（)小晶片;东陵石中的（)小晶片;人造砂金石（金星玻璃)中的（)小晶片。
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
[判断]
晶片大小一定的辐射声场中,远场中声压与晶片的面积成正比。()
是否
[单选]
探头频率与晶片厚度有关，晶片越薄（）
A .频率越低B .频率越高C .频率无显著变化D .以上都不对
[单选]
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数，它是随()。
A .频率增加、晶片直径减小而减小B .频率或直径减小而增大C .频率或直径增大而增大D .频率增加、晶片直径减小而增大
[单选]
超声波探伤中，晶片表面和零件表面之间使用耦合剂的原因是()。
A .空气间隙会使超声波完全反射B .起润滑作用，减少晶片磨损C .若晶片与工件接触，不便于振动D .液体可使探头电路闭合
[单选]
声束扩散与晶片的尺寸和声束通过介质时的波长有关，并（)。
A .A.随晶片直径或频率的减小而增加B .B.随晶片直径或频率的减小而减小C .C.随频率的增加和晶片直径的减小而增加D .D.随频率的增加和直径的减小而减小
[单选]
硅片制备主要工艺流程是（）
A .单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B .单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C .单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D .单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
[判断]
聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径大，波长短，焦距小，则焦点小。（)
是否
[判断]
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它是随频率的增加、晶片直径的减小而增大。()
是否
[单选]
探头频率与晶片厚度有关，晶片越薄（)。
A .A.频率越低B .B.频率越高C .C.频率无显著变化D .D.以上都不正确
