题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
电容的引线越长，则()越大，电容的谐振频率也就越低()。
A.电阻
B.电压
C.电流
D.电感
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A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。
B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。
C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。
D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。
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第2题
关于RLC串联电路的品质因素Q，以下说法正确的是：
A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。
B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。
C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。
D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。
第3题
关于RLC串联电路的品质因素Q，以下说法正确的是：
A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。
B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。
C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。
D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。
第4题
14、关于RLC串联电路的品质因素Q，以下说法正确的是：
A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。
B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。
C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。
D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。
第5题
JSBXC-850型时间继电器与Cl电容量的大小有（）关系
A.1的电容越大，则充电达到单晶体管击穿电压的时间越长，继电器延迟吸起时间越长
B.反之电容C1的容量越小。那么延时也就越短
C.1的电容越大，则充电达到单晶体管击穿电压的时间越短，继电器延迟吸起时间越长
D.反之电容C1的容量越小。那么延时也就越长
第6题
影响因素及限制措施有（）
A.断路器灭弧性能有关（空载电流截断值I0）,一般说来，灭弧能力越强的断路器，其对应的切空变过电压最大值也越大
B.变压器的参数（L-大，储能多）
C.与变压器引线电容大小有关（C） ,C小，则过电压越高
D.与变压器引线电容大小有关（C） ,C大，则过电压越高
第7题
在RC电路中，下列说法正确的是（）。
A.τ是R和C的乘积，与电路的初始状态及电源无关
B. 电容C越大，电阻R越大，则充、放电电流越大，充、放电时间变短
C. R和C越大，则τ越大，过渡过程越长
D. 电容C和电阻R的大小与充电过程无关
E. 改变电路的R，C参数，就能改变电容充、放电的快慢
第8题
在RC电路中，下列说法正确的是（）
A.是R和C的乘积，与电路的初始状态及电源无关
B.电容C越大，电阻R越大，则充、放电电流越大，充、放电时间变短
C.R和C越大，则越大，过渡过程越长
D.电容C和电阻R的大小与充电过程无关
E.改变电路的R，C参数，就能改变电容充、放电的快慢
第9题
在RC电路中，下列说法正确的是（）
A．tau;是R和C的乘积，与电路的初始状态及电源无关
B．电容C越大，电阻R越大，则充、放电电流越大，充、放电时间变短
C．R和C越大，则τ越大，过渡过程越长
D．电容C和电阻R的大小与充电过程无关
E．改变电路的R，C参数，就能改变电容充、放电的快慢
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