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(10) PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

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第1题

三极管的反向电流ICBO是由运动产生的

A.多数载流子

B.少数载流子

C.多数载流子和少数载流子

D.不确定

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第2题

对PN结施加反向电压时,参与导电的是

A.多数载流子

B.少数载流子

C.既有多数载流子又有少数载流子

D.其余选项都不对

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第3题

杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质,少数载流子为本征激发产生的电子与空穴
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第4题

在绝对零度(0 K)时,本征半导体中载流子

A.有

B.没有

C.少数

D.多数

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第5题

处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
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第6题

PN结所加端电压与电流是符合欧姆定律的
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第7题

P型半导体中的多数载流子是空穴,N型半导体中的多数载流子是自由电子
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第8题

PN结加反向电压时,PN结变窄,反向电流较大
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第9题

场效应管是A: 电流控制电流型 B: 电压控制电流 C: 电压控制电压
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第10题

MOS场效应三极管的栅极电流为0,结型场效应三极管的栅极电流不能视为0
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第11题

PN结正偏时,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流,PN结处于导通状态
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