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[单选题]

蠕变发生的机理是

A.位错攀移

B.晶界滑动

C.位错滑移

D.空位扩散

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第1题

若沿着某一滑移系滑动的位错遇到了点缺陷或其它滑移系的位错,位错的运动就会受阻。这时可以通过位错攀移,使其跃迁到另一滑移面继续向前滑动
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第2题

蠕变机制主要包括位错蠕变(回复蠕变)、扩散蠕变和
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第3题

位错攀移可以使两个相反方向运动的位错相互湮灭
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第4题

恢复作用主要是通过位错攀移实现的,位错攀移可以

A.使低位错密度颗粒的颗粒边界向高位错密度的颗粒边界迁移

B.使相邻的位错排列组织成亚颗粒边界

C.使两个相反方向运动的位错相互湮灭

D.使亚颗粒发生旋转

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第5题

位错攀移可以使相邻的位错排列组织成亚颗粒边界
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第6题

亚晶界的结构是

A.由点缺陷堆集而成

B.由位错垂直排列成位错墙面构成

C.由晶界间的相互作用构成

D.由杂质和空位混合组成

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第7题

小角度晶界是由位错所构成的
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第8题

位错蠕变过程中一定不牵涉到空位的扩散
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第9题

位错攀移可以使低位错密度颗粒的颗粒边界向高位错密度的颗粒边界迁移
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第10题

一条位错线具有1个柏氏矢量,位错线只能在晶体的表面或晶界上,而不能中断于晶体的内部
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第11题

形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是

A.(A)点缺陷的明显下降

B.(B)形成亚晶界

C.(C)位错重新运动和分布

D.(D)都不对

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