基于SRAM的FPGA具有掉电易失性，对该类器件的编程一般称为配置

A.SRAM，查找表

B.熔丝，与或阵列

C.flash，查找表

D.反熔丝，与或阵列

A.CPLD器件内部为SRAM工艺，断电后编程信息立即丢失。

B.FPGA器件为EEPROM或FLAsH工艺，被编程后断电非易失。

C.CPLD器件为分段式互连结构，内部延时与器件结构和逻辑连接等有关，因此传输时延不可预测

D.CPLD器件为连续式互连结构，内部各模块之间具有固定时延的快速互连通道，可预测延时

A.EEPROM

B.DRAM

C.SRAM

D.FIFO缓存器

A.是一个双稳态触发器

B.在掉电后能继续存储数据

C.读写次数不超过10000次

D.相当于移位寄存器中的一位

A.SRAM和DRAM都属于半导体随机存取存储器

B.磁带和磁盘都是采用直接存取方式的磁表面存储器

C.磁带、磁盘、光盘和优盘都属于非易失性存储介质

D.随机访问存储器采用地址译码方式选中被读/写单元

A.PLA

B.FPGA

C.PROM

D.PAL

A.PLA

B.FPGA

C.PROM

D.PAL

A.cache

B.EPROM

C.Flash Memory

D.CD-ROM

A.RAM

B.ROM

C.PROM

D.CD-ROM

A.cache

B.EPROM

C.Flash Memory

D.CD-ROM