题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的叙述是()

A.突触前末梢超极化

B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜超极化

E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大

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第1题

关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()

A.突触前轴突末梢超极化

B.突触后膜对Ca、K的通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜电位负值增大,出现超极化

E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大

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第2题

关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是

A.突触前轴突末梢超极化

B.突触后膜对Ca、K的通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜电位负值增大,出现超极化

E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大

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第3题

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是:()。

A.突触前轴突末梢超极化

B.突触后膜对钙离子和钾离子通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜出现超极化

E.突触后膜出现复极化

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第4题

产生抑制性突触后电位的主要机制是()

A.突触前末梢递质释放减少

B.突触后膜发生超极化

C.突触后膜对钠离子通透性增加

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第5题

抑制性突触后电位发生的原因主要是:

A.突触后膜对K#$IMG0$#和Cl#$IMG1$#通透性增加

B.突触后膜对Na#$IMG0$#通透性增加

C.突触后膜对Ca#$IMG3$#通透性增加

D.突触后膜对Mg#$IMG3$#通透性增加

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第6题

关于兴奋性突触后电位的叙述,错误的是()

A.突触前神经元释放兴奋性递质

B.突触后膜产生除极化变化

C.突触后膜对Ca2+通透性增加

D.主要使突触后膜Na+内流

E.兴奋只能由前膜向后膜传递

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第7题

突触前抑制的发生是由于()

A.突触前膜释放抑制性递质

B.突触后膜超极化

C.抑制性中间神经元兴奋的结果

D.突触前膜超极化

E.突触前膜兴奋性递质释放减少

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第8题

抑制性突触后电位()

A.是"全或无"式的

B.可以发生总和

C.是突触后膜发生的局部超极化电位

D.是突触后膜对Cl通透性增加的结果

E.其幅度较兴奋性突触后电位大

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第9题

关于突触,正确的说法是()

A.一个神经元的轴突与其他神经的胞体或突起接触的部位

B.突触后电位可以总和

C.由突触前膜、突触后膜和突触间隙组成

D.突触后电位有去极化和超极化两种状态

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第10题

关于抑制性突触后电位IPSP,下述哪项错误()

A.Cl通道开放可降低IPSP

B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生

C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化

D.IPSP使神经元的兴奋性增加

E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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