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[单选题]

在开关电源中,使用功率MOS管而不是用晶体管或双晶体管,这是因为MOS管有很多性能上的优势,主要表现在();

A.放大状态下

B.低频状态下

C.高频状态下

D.饱和状态下

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第1题

固体半导体摄像元件CCD是一种()。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第2题

TTL集成电路,()。

A.采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑

B.采用的是晶体管-晶体管逻辑

C.电源一般为+5V

D.电源一般为-5V

E.电源一般为+9V

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第3题

晶体管使用时,会产生热量,这是因为晶体管也是电阻器。()
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第4题

双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。()
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第5题

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

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第6题

采用的开关器件通常有()和绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等。

A.功率晶体管(GTR)

B.普通晶闸管(SCR)

C.可关断晶闸管(GTO)

D.功率场效应管(MOSFET)

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第7题

不允许用欧姆表的()以下档位检测小功率晶体管

A.R*100

B.R*1K

C.R*10K

D.以上答案都不对

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第8题

恒流驱动电路中,加速电容C的作用是()

A.加快功率晶体管开通

B.延缓功率晶体管关断

C.加深功率晶体管的饱和深度

D.保护器件

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第9题

当uGS =0时,()导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管

A.没有

B.存在

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第10题

3DG系列晶体管为高频小功率晶体管。()
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