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[单选题]

半导体中的空穴是()。

A.半导体晶格中的缺陷

B.电子脱离共价键后留下的空位

C.带正电的离子

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第1题

在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第2题

N型半导体中的多数载流子是()。

A.自由电子

B.空穴

C.束缚电子

D.晶格上的离子

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第3题

半导体中掺入施主杂质后,施主电离后将成为带正电离子,并同时向导带提供电子,这种杂质叫()。
半导体中掺入施主杂质后,施主电离后将成为带正电离子,并同时向导带提供电子,这种杂质叫()。

A、受主

B、施主

C、电子

D、离子离子

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第4题

N型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定,所以称为()型半导体。

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

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第5题

在含有三价元素的半导体中,空穴的数目远远超出电子的数目,半导体的导体主要是空穴决定的,导电方向与电场方向相反,这样的半导体叫做p型半导体()
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第6题

半导体中主要包含哪些载流子?

A.电子和空穴

B.只有电子

C.只有空穴

D.无

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第7题

半导体中有两种载流子,分别是()

A.原子和中子

B.电子和空穴

C.电子和质子

D.电子和离子

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第8题

本征半导体中,电子和空穴的浓度相等()
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第9题

P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素硼

C.五价元素锑

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第10题

向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体,()

A.内部多数载流子类型为自由电子

B.外加电场作用下,多子的漂移电流与少子的漂移电流方向相反

C.内部多数载流子类型为空穴

D.外加电场作用下,多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致

E.若失去产生的多子自由电子,杂质元素生成带正电的施主离子

F.若失去产生的多子空穴,杂质元素生成带负电的受主离子

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