A.近场
B.远场
C.从晶片位置开始
D.三倍近场
第1题
第2题
A、近场长度
B、未扩散区
C、主声束
D、超声场
第3题
A、远场抑制
B、近场增强
C、近场抑制
D、远场增强
E、以上都不对
第4题
第5题
第6题
A、约等于近场长度
B、约等于近场长度0.6倍
C、约等于近场长度1.6倍
D、约等于近场长度3倍
第7题
A.厚度大于等于三倍近场长度,工件表面光洁度大于等于3.2μm,探测面与底面平行
B.厚度大于等于三倍近场长度,工件表面粗糙,探测面与底面平行
C.厚度小于等于三倍近场长度,工件表面粗糙,探测面与底面不平行
第8题
第9题
第10题
A.探伤类型
B.晶片背衬的致密性
C.频率和晶片尺寸
D.脉冲宽度
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