对于一个尺寸小于0.8（λS)1／2（S为声程)的缺陷，其波高F与底波高度B的比值（F／B)随探头尺寸的增大而增大（)

A.F/B相同，缺陷当量相同

B.该法不能给出缺陷的当量尺寸

C.适用于对尺寸较小的缺陷定量

D.适于对密集性缺陷的定量

A.使用水浸式纵波探头

B.探头偏离管材中心线

C.无缺陷时，荧光屏上只显示始波和1～2次底波

D.水层距离应大于钢中一次波声程的1/2

A.Ⅰ、Ⅱ

B.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ

C.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ

D.Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ

A.频率增加、晶片直径减小而减小

B.频率或直径减小而增大

C.频率或直径增大而增大

D.频率增加、晶片直径减小而增大