可控硅由导通变为截止的条件有（）。

A.腐蚀原电池阳极

B.腐蚀原电池阴极

C.腐蚀电解池阳极

D.腐蚀电解池阴极

A.阳极平均输出电流

B.阴极平均输出电流

C.阳极开路电位

D.阳极极化电位

A.控制极加上正触发电压

B.控制极加上负脉冲电压

C.控制极应串上触发管

D.控制极电位高于阳极电位

A.阴极电位不变

B.阳极电位不变

C.阴极电位向负方向变化

D.阳极电位向负方向变化

A.阳极接高电位、阴极接低电位

B.阴极接高电位、阳极接低电位

C.二极管没有阴极、阳极之分

D.二极管的极性可以任意接

A.阳极接高电位、阴极接低电位

B.阴极接高电位、阳极接低电位

C.二极管没有阴极、阳极之分

D.二极管的极性可以任意接

A.越小

B.相等

C.越大

D.没有特定关系

A.升高阳极电压

B.断开控制电路

C.降低阴极电压

D.正向电流最小维持电流

A.断开阳极电路

B.使阳极电流小于维持电流

C.断开控制极电路

D.阳极-阴极间加反向电压

A.可控硅恒电位仪

B.磁饱和恒电位仪

C.牺牲镁块

D.晶体管恒电位仪