下列是按顺序访问的存储器是()。A.主存储器B.相联存储器C.双端口存储器D.磁带
下列是按顺序访问的存储器是()。
A.主存储器
B.相联存储器
C.双端口存储器
D.磁带
下列是按顺序访问的存储器是()。
A.主存储器
B.相联存储器
C.双端口存储器
D.磁带
第2题
设计存储器。 地址总线A15~A0(低),存储器地址空间为3000H~67FFH,按字节编址。其中,3000H~4FFFH为ROM区,选用EPROM芯片(4K×2位/片);5000H~67FFH为RAM区,选用DRAM芯片(2K×4位/片)。 (1)据存储器容量,EPROM芯片和DRAM芯片各需多少片?分别选择一个正确答案。 (a)EPROM芯片 (b)DRAM芯片 ①4片②6片③8片④12片 (2)EPROM芯片和DRAM芯片各连入哪几根地址线?分别选择一个正确答案。 (a)EPROM芯片 (b)DRAM芯片 ①A10~A0②A12~A0③A11~A0④A9~A0 (3)分别写出5个片选信号CS0、CS1、CS2、CS3、CS4的逻辑式。
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
第3题
某16位微型机主存地址码为24位,按字节编址,使用1M×1位的DRAM芯片组成,存储周期为0.1μs,请问该机所允许的最大主存空间是多少?需用多少片DRAM芯片?若采用异步刷新方式,设存储元刷新最大间隔时间不超过8ms,则刷新定时信号的间隔时间是多少?
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
第4题
某机器的寻址空间为64K,数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片,SRAM有CS和WE控制信号;4K×8位DRAM芯片,DRAM有CS、wE等控制信号,数据总线是双向。CPU有MERQ、R/W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称; (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM,从A000H安排8K×8位DRAM,画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器,DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号); (3)设DRAM读/写周期为0.5μs,CPU在1μs内要访问内存1次或2次,平均1μs访存约1.2次,刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式,采用哪种刷新方式比较合理,并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。
请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
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