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[主观题]

设计一个中频放大器,要求:采用电容耦合双调谐放大器,初、次级抽头P1=0.3,P2=0.2;中频频率为1.5 MH

z;中频放大器增益大于60 dB;通频带为30 kHz;矩形系数Kr0.1<1.9;放大器工作稳定;回路电容选用500 pF,回路线圈品质因数Q0=80。已知晶体管在IE=1 mA、f=1.5 MHz时,参数如下:

设计一个中频放大器,要求:采用电容耦合双调谐放大器,初、次级抽头P1=0.3,P2=0.2;中频频率另外,中放前的变频器也采用双调谐回路做负载。

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第1题

计算图3.2.16所示的共源放大器(下一级采用同样的管子)。已知:工作频率f0=10.7 MHz;回路电容C3=50

pF;输出端到地之间的抽头p=0.5;线圈电感Q0=50。场效应管采用3DJF,其gfs=3 000 μS,Cds<8 pF,Cgd<3 pF,Cds<5 pF。求:单级电压增益;回路通频带2△f0.7;稳定电压增益。

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第2题

用晶体管CG30做一个30 MHz中频放大器,当工作电压VCE=8 V,IE=2 mA时,其y参数是: yie=(2.86+j

3.4)mS; yre=(0.08-j0.3)mS yfe=(26.4-j36.4)mS; yoe=(0.2+j1.3)mS 求此放大器的稳定电压增益(Av0)S,要求稳定系数S≥5。

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第3题

影响谐振放大器稳定性的因素是什么?反馈导纳的物理意义是什么?

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第4题

为什么晶体管在高频工作时,要考虑单向化问题,而在低频工作时,则可不必考虑?

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第5题

设某晶体管共射连接时其y参数为yie、yfe、yre、yoe;共基连接时其y参数为yib、yfb、yrb、yob;共集连接时

其y参数为yic、yfc、yrc、yoc;现将两个这种晶体管级联,假设yfe>>yie>>yoe>>yre,试证明:

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第6题

某晶体管的rbb=70 Q,IE=1 mA,α0=O.95,fα=500 MHz。求在室温19℃,通频带为200 kHz时,此晶体管在频率

为10 MHz时的各噪声源数值。

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第7题

三个电阻R1、R2和R3,其温度保持在T1、2T和T3。如果电阻串联连接,并看成等效于温度T的单个电阻R,求R

和T的表示式。如果电阻改为并联连接,求R和T的表示式。

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第8题

一个1 000 Ω电阻在温度290 K和10 MHz频带内工作,试计算它两端产生的噪声电压和噪声电流的均方根

值。

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第9题

图3.5.4所示的双调谐电感耦合电路中,设第一级放大器的输出导纳和第二级放大器的输入导纳分别是:g

o=20×10-6S;Co=4 pF;gi=0.62×10-3s;Ci=40 pF。|yfe|=40×10-3s,工作频率f0=465 kHz,中频变压器初、次级线圈的空载Q值均为100,线圈抽头为N12=73匝,N34=60匝,N45=1匝,N56=13.5匝,L1和L2为紧耦合。 求:1)电压放大倍数;2)通频带和矩形系数。

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第10题

场效应管和晶体管噪声的主要来源有哪些?为什么场效应管内部噪声较小?

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