—N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,ID=1 mA,VDSQ=6 V,已知管子参
—N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,ID=1 mA,VDSQ=6 V,已知管子参数为μnCoxW/(2l)=0.25 mA/V2,VGS(th)=2 V,设λ=0,试设计该电路。
—N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,ID=1 mA,VDSQ=6 V,已知管子参数为μnCoxW/(2l)=0.25 mA/V2,VGS(th)=2 V,设λ=0,试设计该电路。
第1题
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图LP3-7所示,已知VGS(th)=2 V,μnCox=200μA/V2,W=40μm,l=10 μm,设λ=0,要求ID=0.4 mA,VD=1 V,试确定RD、RS值。
第2题
在某放大电路中,分别测得两个三极管各电极的对地电位,如图LT2-1所示,试判断它们是NPN型管还是PNP型管?是硅管还是锗管?并区分出e、b、c三个电极。
第3题
图LT2-3(a)所示电路,已知VCC=12 V,VBE(on)=0.7 V,β=50,RB1=100 kΩ,RB2=20 kΩ,RC=4 kΩ,RE=1 kΩ,试计算电路的直流工作点。
第4题
图LT2-3(a)所示的分压偏置电路,已知三极管工作在放大模式,试写出电路静态电流ICQ的表达式。
第5题
电路如图LT2-2所示,已知VBE(on)=0.7 V,VCE(sat)≈0.3 V,试判断三极管工作状态,并计算三极管集电极电位VC。
第7题
图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压|VO|、电流IC不变,试计算R1、R2值。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!