在图LP2－21所示实现平方律运算的电路中，各管有相同的发射结面积，工作在放大区，β很大，且忽略基区

在图LP2-20所示的电路中，已知管子的β=100，VBE(on)=-0．7 V，ICQ=-2．17 mA，rce不计，信号源vs=0．1sinωt(V)，Rs=10 kΩ，RB=12．5 kΩ。设rbb=0，试求三极管各极电压和电流值iB、vbe、iC、vce。

在图LP2-19所示电路中，已知晶体三极管的β=200，VBE(on)=-0．7 V，ICBO≈0。

(1)试求IB、IC、VCE； (2)若电路中元件分别作如下变化，试指出晶体三极管的工作模式：(a)RB2=2 kΩ(b)RB1=15 kΩ(c)RE=100 Ω。

图LP2-18所示为二级放大电路，已知β=100，|VBE(on)|=0．7 V，ICBO≈0。

(1)试求集电极电流IC1、IC2，集电极电压VC1、VC2； (2)若RR2改为3 kΩ，试指出T1和T2管的工作模式； (3)若RC2改为5．1 kΩ，试求β2(sat)值，并与放大模式下β=100比较。

在图LP2-17所示放大电路中，已知VBE(on)1=0．7 V，VBE(on)2=-0．25 V，β1=β2=100，试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。

某集成电路中的局部原理电路如图LP2-16所示，已知VBB=-13 V，VBE(on)=0．7 V，β=100，RE1=50 kΩ，RE2=100 Ω，试计算IC1、IC2值。

图LP2-15所示电路中，已知α=0．98，VBE(on)=0．7 V，ICBO≈0。

(1)试求IB、IC、VCE； (2)若RE=0，RB2开路，指出电路工作模式。

掺入浓度为1016cm-3的施主杂质，则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500 K、600 K，试分析为何种类型半导体。

平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

在图LT1-4所示稳压电路中，要求输出稳定电压为7．5 V。已知输入电压V1在15 V到25 V范围内变化，负载电流IL在0到15 mA范围内变化，稳压管参数IZmax=50 mA，IZmin=5 mA，Vz=7．5 V，rz=10 Ω。

试求：(1)所需R值。(2)分别计算VI和IL在规定范围内变化时，输出电压的变化值△VO1和△VO2。