理想气体的绝热自由膨胀过程中系统与外界没有交换热量，为什么熵增大？

A．剩余电阻的存在会使电路的恢复电压uhf特性升高。

B．剩余电阻越大越好

C．剩余电阻大，说明弧隙温度比较高，介质恢复过程慢，电弧不易熄灭。

D．在熄灭电弧过程中，剩余电阻具有两重性。

A．"触电电阻Rz和收缩电阻Rs"

B．"收缩电阻Rs和膜电阻Rm"

C．"接点电阻Rg和收缩电阻Rs"

D．接点电阻Rg和膜电阻Rm

以下关于HD描述错误的是

A、病理上往往能找到RS细胞及其变异型

B、其转移途径为逐站淋巴区域转移

C、B症状多见

D、大纵隔少见

E、预后好

A．V1 rS

B．V5 qRs

C．aVL qR

D．aVR Rs

E．aVF qRs

JFET包括源串联电阻R_S的低频小信号等效电路如下．试证明计及串联电阻R_S，跨导为，其中g_m为忽略R_S时的跨导.

JFET包括源串联电阻R_S的低频小信号等效电路如下．试证明计及串联电阻R_S，跨导为，其中g_m为忽略R_S时的跨导.

A．任何一个线性有源网络都可以用一个与它等效的理想电压源Us与电阻Rs串联的支路来代替

B．任何一个线性有源网络都可以用一个与它等效的理想电压源Us与电阻Rs并联的支路来代替

C．任何一个线性有源网络都可以用一个与它等效的理想电流源Is与电阻Rs串联的支路来代替

D．任何一个线性有源网络都可以用一个与它等效的理想电流源Is与电阻Rs并联的支路来代替

A．和负载电阻RL有关，和信号源内阻RS无关

B．和负载电阻RL无关，和信号源内阻RS有关

C．和负载电阻RL无关，和信号源内阻RS无关

D．和负载电阻RL有关，和信号源内阻RS有关

A．和负载电阻RL有关，和信号源内阻RS无关

B．和负载电阻RL无关，和信号源内阻RS有关

C．和负载电阻RL无关，和信号源内阻RS无关

D．和负载电阻RL有关，和信号源内阻RS有关

A、电阻Rc1、Rc2、RS成的是第二级本级交流反馈。

B、静态时电阻RG中的电流为零。

C、

D、