题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
已知粒子在一维矩形无限深势阱中运动,其波函数为 那么粒子在x=a/6处出现的概率密度为(). A. B.1/a
已知粒子在一维矩形无限深势阱中运动,其波函数为
那么粒子在x=a/6处出现的概率密度为( )。
A.1/2a B.1/a C.2/a D.
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已知粒子在一维矩形无限深势阱中运动,其波函数为
那么粒子在x=a/6处出现的概率密度为( )。
A.1/2a B.1/a C.2/a D.
第1题
下述说法中,正确的是( ).
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电.而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
B.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电
C.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去.大大提高了半导体导电性能
D.P型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
第2题
在激光器中利用光学谐振腔( ).
A.可提高激光束的方向性,而不能提高激光束的单色性
B.可提高激光束的单色性,而不能提高激光束的方向性
C.可同时提高激光束的方向性和单色性
D.既不能提高激光束的方向性也不能提高其单色性
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