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[主观题]

下图所示同一结构在两种不同的荷载作用下,它们之间的关系是 ()

下图所示同一结构在两种不同的荷载作用下,它们之间的关系是 ()下图所示同一结构在两种不同的荷载作用下,它们之间的关系是 ()下图所示同一结构在两种不同的荷载作用下

A.B点的水平位移相同

B.C点的水平位移相同

C.A点的水平位移相同

D.BC杆变形相同

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第1题

每片晶圆上机前都应该目检,以确认晶圆表面无沾污、划伤等异常。()
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第2题

新上机的有map晶圆需要核对()

A.中测数量和map数量

B.晶圆条码和晶圆刻字

C.框架批号

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第3题

产品上机前作业员核对流程卡上();与实际晶圆的晶圆批号;标注工单号一致。

A.工单号

B.晶圆批号

C.片号

D.委工单号

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第4题

晶圆上机前,核对确认晶圆刻号与条码信息一致,倾斜晶圆,在灯光下0°~45°范围内缓慢晃动晶圆,目检确认晶圆外观,无外观缺陷后上机。()
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第5题

一片晶圆加工完后,作业员在晶圆上芯数统计表中,记录(),并核对与晶圆。中测单上数目是否一致。

A.晶圆上的芯片数量

B.晶圆实际加工芯片数

C.晶圆批号

D.晶圆片号

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第6题

作业员每加工一片晶圆在《晶圆上芯数统计记录》上记录并核对()及()。

A.工单号

B.晶圆批号

C.片号

D.委工单号

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第7题

每片晶圆调取MAP后,需要核对()

A.WAFERMAPPING批号与实际晶圆批号一致

B.中测单中BIN的数目应与设备上所显示的BIN数目一致

C.中测单中芯片数与MAP中BIN的数目

D.MAP旋转角度与晶圆统计表中角度是否一致

E.文件名及编号与实际加工片号一致

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第8题

产品加工过程中,作业员每加工一片晶圆在《晶圆上芯数统计记录》上记录加工数并核对();及()。

A.工单号

B.晶圆批号

C.片号

D.委工单号

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第9题

混批可能由以下()因素引起。

A.抽检后产品归位放错

B.晶圆上机前未核对批号晶圆混料

C.产品在传递

D.烘烤过程前后将流程卡放错造成混批

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