题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2，VP=0.5V，iD=-0.5mA（假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2，VP=0.5V，iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压VGS和漏源电压vDS等于多少？
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