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[主观题]

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

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第1题

采用单相重合闸的线路的零序电流保护的最末一段的时间要躲过重合闸周期。()

采用单相重合闸的线路的零序电流保护的最末一段的时间要躲过重合闸周期。()

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第2题

零序电流方向保护与重合闸配合使用时应注意的问题()。

A、与三相重合闸使用时的配合问题

B、不考虑综合重合闸配合使用时的零序电流方向

C、不需要灵敏度和时间两方面的配合

D、不需要设置一个无时限的一般电流保护

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第3题

为什么实现单相重合闸的线路采用零序方向纵联保护时需考虑有健全相再故障时的快速动作保护?
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第4题

使用单相重合闸时会出现非全相运行,除纵联保护需要考虑一些特殊问题外,对零序电流保护的整定和配合产生了很大影响,也使中、短线路的零序电流保护不能充分发挥作用
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第5题

采用单相重合闸的线路的零序电流保护的最末一段时间要躲过重合闸周期()
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第6题

采用单相重合闸的线路,零序电流保护的最末Ⅰ段时间要躲过重合闸周期。()
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第7题

零序电流保护与重合闸方式的配合应考虑哪些因素?
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