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[主观题]

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示,已知VGS(th),=2V,μnCox=200μA/V2,W=40μm,l=10μm。设λ=0,要

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示,已知VGS(th),=2V,μnCox=200μA/V2,W=40μm,l=10μm。设λ=0,要求ID=0.4mA,VD=1V,试确定RD、RS值。

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示,已知VGS(th),=2V,μnCox=2

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第1题

当今世界正处于百年未有之大变局,面临的不稳定性不确定性日益突出。()

当今世界正处于百年未有之大变局,面临的不稳定性不确定性日益突出。()

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第2题

当今世界正面临百年未有之大变局,对广大新兴市场国家和发展中国家而言,既是机遇又是挑战。
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第3题

当今世界面临百年未有之大变局的本质是()。

A.动力变革

B.制度变革

C.力量变革

D.渐进变革

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第4题

如何理解“世界面临百年未有之大变局”?
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第5题

当今世界处于百年未有之大变局,中国特色社会主义进入新时代,两者同步交织、相互激荡。
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第6题

当今世界正在经历百年未有之大变局。比如说经济()

A.区域化

B.一体化

C.全球化

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第7题

集成电阻器和电容器的高精度,主要有()所决定。
A、长度

B、宽长比

C、宽度

D、长度和宽度

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