理想流体的基本特征是（)。A.黏性系数是常数 B.不可压缩C.无黏性

现有三块半导体硅材料，已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为：p01=2．25×1016cm-3，p02=1．5×1010cm-3，p03=2．25×104cm-3。 (1)分别计算这三块材料的电子浓度n01、n02、n03；(2)判别这三块材料的导电类型；(3)分别计算这三块材料的费米能级的位置。

现有三块半导体硅材料，已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为，，。 (1) 分别计算这三块材料的电子浓度、、； (2) 判别这三块材料的导电类型；(3) 分别计算这三块材料的费米能级位置。

在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p₀=1.1×10¹⁶cm^-3。已知掺硼浓度N_Al=10¹⁶cm^-3其电离能△E_A1=E_A1-E_v=0.046eV，铟的电离能△E_A2=E_A2-E_v=0.16eV，试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的N_v=1.04×10¹⁹cm^-3。

试说明在室温下，某半导体的电子浓度时，其电导率σ为最小值。式中n_i是本征载流子浓度，μ_p、μ_n分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。

A．

B．

C．

D．

一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为10¹⁴cm^-3，试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

A．

B．

C．

D．

A．

B．

C．

D．

=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0．046eV，铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0．16eV，试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1．04×1019cm-3。