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简述国家责任的概念与构成要件。

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第1题

下列有关光电效应的叙述,错误的是()。

A.诊断用X线与铅的相互作用形式,主要是光电效应

B.光电效应的结果是,入射光子能量的一部分以散射光子释放

C.光电效应可产生特征放射、光电子和正离子

D.光电效应中,X线光子能量全部给予了物质原子的壳层电子

E.光电效应以光子击脱原子的内层轨道电子而发生

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第2题

根据与光子相互作用后电子是否留在物体内部,可将光电效应分为外光电效应和内光电效应两种。其中外光电效应指的是光电子发射现象,内光电效应包含光电导现象和光生伏特现象。
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第3题

在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时,

在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是

A、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射

B、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射

C、入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生

D、入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射

E、入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

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第4题

在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是()

A.入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射

B.入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射

C.入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生

D.入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射

E.入射γ光子能量减时,光电子逐渐向前角发射

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第5题

在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是

A.入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射

B.入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射

C.入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生

D.入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射

E.入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

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第6题

在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是()

A.入射光子能量很低时,光电子向入射光子的正前方(0)发射

B.入射光子能量很低时,光电子向入射光子的正后方(180)发射

C.入射光子能量很低时,光电子在垂直于入射光子方向上发生

D.入射光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射

E.入射光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

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第7题

在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是

A、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射

B、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射

C、入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生

D、入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射

E、入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

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