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A．耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧

B．耗尽层宽度主要在重掺杂一侧

C．内建电势主要降落在轻掺杂一侧

D．内建电势主要降落在重掺杂一侧

推导出线性缓变PN结的下列表示式：(1)电场分布；(2)电势分布；(3)耗尽层宽度；(4)内建电势差．

A．，突变结

B．，突变结

C．，缓变结

D．，缓变结

已知硅的突变结两边掺杂浓度各为N_A=10¹⁶cm^-3，N_D=10²⁰cm^-3，

A．内建电势

B．耗尽区宽度

C．最大电场

D．势垒高度

A．内建电势

B．耗尽区宽度

C．最大电场

D．势垒高度

A．0V

B．0.5V

C．1V

D．0.2V

硅突变结二极管的掺杂浓度为：N_d=10¹⁵cm^-3，N_a=4×10²⁰cm^-3．在室温下计算：

A．P区和n区的掺杂浓度是均匀的

B．P区和n区的掺杂浓度都是不均匀的

C．P区和n区两边的掺杂浓度差别不大

D．P区和n区两边的掺杂浓度有数量级的差别