关于晶体中的缺陷,下面哪种说法是正确的()
A.空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷
B.滑移是线缺陷的一种主要运动形式
C.晶体硅的层错多发生在(111)面
D.为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体
A.空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷
B.滑移是线缺陷的一种主要运动形式
C.晶体硅的层错多发生在(111)面
D.为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体
第2题
关于质量检验管理缺陷下面哪种说法是正确的
A、事后检验无法监控生产过程
B、全数检验成本高,耗时长
C、不能预防废品的产生
D、当产品数量庞大或者产品检验具有破坏性时,全数检验几乎无法施行
E、以上全对
第4题
A.点缺陷包括间隙原子和空位两种情况
B.在一定范围内,线缺陷的密度越大,金属的强度越大
C.在一定范围内,线缺陷的密度越小,金属的强度越大
D.晶界是面缺陷,而亚晶界不是
第6题
A.正晶体的质量密度一定大于负晶体;
B.光能够在正晶体中传播,而不能在负晶体中传播;
C.正晶体和负晶体是根据o光和e光在其中的传播性质的不同来定义的;
D.正晶体的折射率为正,而负晶体的折射率为负。
第7题
A.唯一可以接受的解决方案是不容忍任何缺陷
B.一旦缺陷找到,纠正缺陷是很简单的
C.将决策算法进行编码代表了最高风险
D.通过应用结构化可以消除缺陷
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!