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以下说法有误的一项是()。

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第1题

数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比

数字X线摄影(DR)不包括

A.直接转换平板探测器

B.间接转换平板探测器

C.多丝正比室探测器

D.闪烁体+CCD摄像机阵列

E.线扫描计算机X线摄影

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第2题

下列非晶硒平板探测器的结构中,错误的是()

A.X线转换单元

B.信号传输单元

C.高速信号处理单元

D.CsI闪烁体层阵列

E.探测器单元阵列

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第3题

应用CCD面阵结构的成像设备是()

A.扫描仪

B.数码照相机

C.CR数字X线摄影

D.半导体狭缝扫描仪

E.直接转换平板探测器

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第4题

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A.硒鼓检测器

B.CR成像板(IP)

C.直接转换平板探测器

D.间接转换平板探测器

E.多丝正比室检测器

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第5题

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A.砸鼓检测器

B.IP成像转换器

C.直接转换平板探测器

D.间接转换平板探测器

E.多丝正比室检测器

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第6题

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A、硒鼓检测器

B、IP成像转换器

C、直接转换平板探测器

D、间接转换平板探测器

E、多丝正比室检测器

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第7题

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()

A.硒鼓检测器

B.P成像转换器

C.直接转换平板探测器

D.间接转换平板探测器

E.多丝正比室检测器

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第8题

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。

A.CCD检测器

B.IP成像转换器

C.直接转换平板探测器

D.间接转换平板探测器

E.多丝正比室检测器

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