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[单选题]

光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）

A.150－200℃

B.200℃左右

C.250℃左右

D.300℃左右

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第1题

光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

A. 150－200℃

B. 200℃左右

C. 250℃左右

D. 300℃左右

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第2题

沸点溶剂脱水烘焙磺化法目前多采用（）

A. 有机溶剂脱水法

B. 无溶剂搅拌锅烘焙磺化法、

C. 高沸点溶剂脱水烘焙磺化法。

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第3题

下列选项中，不属于烘焙记录内容的是( )。

A．烘焙方法

B．实际烘焙时间

C．烘焙位置

D．烘干温度

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第4题

光刻工艺首先要对硅片进行预处理，主要包括

A、平整度和清洁度的检查

B、清洗

C、烘焙

D、增粘初六

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第5题

下列对烘焙工艺描述正确的是（）

A、烘焙过程会对食品的感官产生影响

B、烘焙过程会对食品的营养产生影响

C、烘焙过程会对食品的保质期产生影响

D、其他项都选

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第6题

A．150℃，350-400℃

B．350-400℃，150℃

C．350-400℃，250℃

D．150℃，250℃

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第7题

曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。

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第8题

A．350～450℃

B．550～650℃

C．750～850℃

D．760～850℃

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第9题

A．50～100℃

B．150～200℃

C．250～300℃

D．760～850℃

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第10题

此题为判断题(对，错)。

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