A. 因为可能把工件表面的缺陷开口封住
B. 因为可能会把油污封入缺陷内
C. 因为会使工件表面产生缺陷
D. 因为可能将砂粒射入缺陷内
第1题
A. 因为可能把工件表面的缺陷开口封住
B. 因为可能会把油污封入缺陷内
C. 因为会使工件表面产生缺陷
D. 因为可能将砂粒射入缺陷内
第3题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第4题
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50~100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
第8题
A. 瓷的热膨胀系数可略小于合金
B. B.基底冠表面喷砂处理
C. C.在底冠表面设计倒凹固位形
D. D.基底冠表面应清洁
E. E.预氧化处理
第10题
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