下列关于中心导体法，下列说法正确的是（）

B.导体两端的电压增大，其电阻一定增大

C.若导体不接入电路，其电阻为0

D.导体的电阻与其两端电压及通过的电流无关

A. 只存在一种载流子：自由电子

B. 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C. 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D. 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

A、复合是产生的逆过程

B、复合中心往往是由深能级杂质和缺陷充当

C、哪怕是完全无缺陷的半导体，其表面复合率也高于体内

D、复合越剧烈，少子寿命越短

A、加入的第三种导体的电子密度要大于热电偶两个热电极的电子密度

B、加入的第三种导体与热电偶两个热电极相连接处的温度必须是相同的

C、加入第三种导体不影响热电偶回路的热电势

A、太阳能电池利用光的量子特性，使硅材料中的电子发生能级跃迁，产生电位差

B、太阳能电池利用光照使硅材料发生化学反应，产生电荷的移动和电位差

C、太阳能电池利用光照使硅材料燃烧发电

D、太阳光照射到硅材料上，会产生激光

A.利用光的量子特性，使硅材料中的电子发生能级跃迁，产生电势差

B.利用光照使硅材料发生化学反应，产生电荷的移动和电位差

C.利用光照使硅材料燃烧发电

D.太阳光照射到硅材料上，会产生激光

A、化学成分纯净的半导体

B、在绝对零度（0K）时，本征半导体中没有载流子

C、温度一定时，本征激发和复合达到动态平衡

D、自由电子的数目大于空穴的数目

E、温度变化时，自由电子和空穴数目变化一样

A、导体达到静电平衡后，其表面曲率越大的地方，电荷面密度也越大

B、导体达到静电平衡后，其内部场强处处为零

C、导体达到静电平衡后，其电荷只能分布在外表面

D、导体达到静电平衡后，其表面邻近处场强方向垂直于导体表面

B、多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡，形成了PN结

C、动态平衡后，空间电荷区中，包含有静止的自由电子-空穴对，以及静止的正、负杂质离子

D、空间电荷区中存在内电场，也称为势垒区