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[单选题]

在结晶过程中,杂质对晶体成长速率()

A.有抑制作用

B.有促进作用

C.有的有抑制作用,有的有促进作用

D.没有影响

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第1题

在结晶过程中,杂质对晶体成长速率()。
A、有抑制作用

B、有促进作用

C、有的有A作用,有的有B作用

D、没有影响

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第2题

在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。

A.扩散过程

B.表面反应过程

C.传热过程

D.三者共同

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第3题

下列哪个不是结晶过程中晶体成长的步骤____。
A、扩散过程

B、表面反应过程

C、传热过程

D、传质过程

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第4题

对于相等的结晶产量,若在结晶过程中晶核的形成速度远大于晶体的成长速度,则产品中晶体的形态及数量分别为( )

A.小而少

B.大而少

C.小而多

D.大而多

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第5题

()不是影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素。

A.母液中杂质

B.母液温度和酸度

C.粒结晶在母液中呈悬浮状态和其在母液中停留的时间

D.溶质向结晶界面移动的性质和强度

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第6题

结晶速率由( )和晶体生长速率决定,两者之间的关系是影响结晶颗粒大小的决定因素。

A、晶核形成速率

B、晶核形成时间

C、晶体生长体积

D、晶体生长形状

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第7题

影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素不包括( )。

A.溶质向结晶界面移动的性质和强度

B.粒结晶在母液中呈悬浮状态和其在母液中停留的时间

C.母液温度和酸度

D.母液中杂质

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第8题

对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为( )。

A.扩散过程

B.表面反应过程

C.传热过程

D.3个过程共同控制

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第9题

以下关于杂质对聚合物结晶行为的影响正确的是( )

A、杂质起到异相成核的作用,提高结晶速率。

B、杂质含量的增加,会抑制分子链的运动,降低结晶速率。

C、杂质的引入,可同时提高成核速率和晶体的生长速率

D、杂质的引入一定会带来聚合物晶体熔点的提高。

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第10题

碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。

A. 快,大

B. 快,小

C. 慢,大

D. 慢,小

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