对N型半导体.下列哪些说法正确（）

A. 只存在一种载流子：自由电子

B. 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C. 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D. 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

B.P型半导体中只有空穴导电

C.N型半导体中只有自由电子参与导电

D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态

C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用

D、以上说法都是错误的

B、P型半导体带正电荷，N型半导体带负电荷

C、P型半导体的受主负离子和N型半导体的施主正离子均为载流子

D、N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的少子也是自由电子

B、多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡，形成了PN结

C、动态平衡后，空间电荷区中，包含有静止的自由电子-空穴对，以及静止的正、负杂质离子

D、空间电荷区中存在内电场，也称为势垒区

A、施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子

B、施主杂质电离后，电离中心带正电

C、施主杂质是一种间隙式杂质

D、单一施主掺杂后的半导体为n型半导体

A、可以区分N型半导体和P型半导体材料

B、与半导体材料相比，金属导体的霍尔系数较大

C、霍尔元件的制作采用的是半导体材料，而不是金属材料

D、霍尔效应是运动电荷受到的电场力的结果

A、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得

B、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体

C、P型半导体带正电，N型半导体带负电

D、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的

A、P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子

B、在P和N半导体的分界面处，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区。

C、P－N结内电场的方向是N负P正。

D、光生电势与内电场方向相反。