题目内容
（请给出正确答案）
关于安培环路定理
， 下列说法中正确的是
A、
只是穿过闭合环路的电流所激发，与环路外的电流无关。
B、
是环路内、外电流的代数和。
C、该定理只在具有高度对称分布的磁场中才成立。
D、只有磁场分布具有高度对称性时，才能利用它直接计算
的大小。
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第1题
下列对安培环路定理
的说法中，正确的是（ ）
A、安培环路上的B完全是由公式中的I所产生的
B、如果I=0，一定有B=0
C、如果在安培环路上的B处处为零，一定有I=0
D、以上说法都不对
第2题
对于磁场的安培环路定理
下列说法正确的是：
A、磁场强度是空间中所有的传导电流
、磁化电流
、极化电流
以及变化电场
四者产生的磁场之和。
B、磁场强度是空间中所有的传导电流、位移电流
两者产生的磁场之和。
C、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流和位移电流三者产生的磁场之和。
D、磁场强度的环量只与穿过闭合回路的传导电流、位移电流有关。
E、只适用于恒定磁场的情形
第3题
对于磁场的安培环路定理，下列说法正确的是
A、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流、极化电流以及变化电场四者产生的磁场之和。
B、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流和位移电流三者产生的磁场之和
C、磁场强度的环量只与穿过闭合回路的传导电流、位移电流有关
D、磁场强度是空间中所有的传导电流、位移电流两者产生的磁场之和
E、只适用于变化磁场的情形
第4题
A、H矢量沿任意闭合路径的线积分，等于该闭合路径所包围电流的代数和；
B、H矢量沿任意闭合路径的线积分，等于该闭合路径所包围传导电流的代数和；
C、H矢量沿任意闭合路径的线积分，等于该闭合路径所包围束缚电流的代数和；
D、H矢量沿任意闭合路径的线积分，等于传导电流的代数和。
第5题
A、闭合回路上各点磁感应强度都为零时，回路内一定没有电流穿过
B、闭合回路上各点磁感应强度都为零时，回路内穿过的电流代数和一定为零
C、磁感应强度沿闭合回路的积分为零时，回路上各点的磁感应强度一定为零
D、磁感应强度沿闭合回路的积分不为零时，回路上任意一点的磁感应强度都不可能为零
第6题
A、磁感应强度沿任意闭合回路的环流等于零，说明闭合回路所包围的所有电流代数和为零
B、磁感应强度沿任意闭合回路的环流等于零，说明闭合回路内没有电流穿过
C、安培环路定理说明，磁感应强度仅与闭合回路包围的电流有关
D、磁感应强度沿任意闭合回路的环流等于零，说明闭合回路所包围的传导电流代数和为零
第7题
A、静电场场强沿任意闭合环路的线积分总等于0；
B、静电场场强沿闭合路径的线积分不一定都等于0；
C、静电场环路定理和静电场高斯定理，是两个彼此独立的定理。
D、根据静电场环路定理，静电场场强对闭合面的面积分取决于该面所包围的电荷电量。
第8题
A、若环流等于零，则在回路L上必定是H处处为零；
B、若环流等于零，则在回路L上必定不包围电流；
C、若环流等于零，则在回路L所包围传导电流的代数和为零；
D、回路L上各点的H仅与回路L包围的电流有关。
第9题
关于静电场的高斯定理，下列说法正确的是
A、说明静电场是有源场
B、高斯面上的场强由高斯面内的电荷决定
C、高斯面上的场强由高斯面内和面外的电荷决定
D、闭合曲面的电通量由高斯面内的电荷决定
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说明了磁场的性质之一是
