关于Paserval定理，下列说法正确的是

关于静电场的高斯定理，下列说法正确的是

A、说明静电场是有源场

B、高斯面上的场强由高斯面内的电荷决定

C、高斯面上的场强由高斯面内和面外的电荷决定

D、闭合曲面的电通量由高斯面内的电荷决定

A、电位移矢量通量仅与高斯面内包围的自由电荷有关

B、电场强度通量与高斯面内包围的自由电荷和极化电荷有关

C、空间每一点的电场强度是由空间所有的电荷决定的

D、高斯面上某一点的电场强度仅由高斯面内的极化电荷和自由电荷决定

E、高斯面上某一点的电场强度仅由高斯面内的自由电荷决定

F、高斯面上某一点的电位移矢量仅由高斯面内的极化电荷和自由电荷决定

G、高斯面上某一点的电位移矢量仅由高斯面内的自由电荷决定

B、即使只有其中一个激励变化也适用

C、只适用于所有电源和负载都变化k倍的情况

D、适用于所有负载同时变化k倍的情况

A、静电场场强沿任意闭合环路的线积分总等于0；

B、静电场场强沿闭合路径的线积分不一定都等于0；

C、静电场环路定理和静电场高斯定理，是两个彼此独立的定理。

D、根据静电场环路定理，静电场场强对闭合面的面积分取决于该面所包围的电荷电量。

A、不适用于自由度大的气体;

B、不适用于液体;

C、不适用于固体;

D、可用于非理想气体

对于磁场的安培环路定理，下列说法正确的是

A、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流、极化电流以及变化电场四者产生的磁场之和。

B、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流和位移电流三者产生的磁场之和

C、磁场强度的环量只与穿过闭合回路的传导电流、位移电流有关

D、磁场强度是空间中所有的传导电流、位移电流两者产生的磁场之和

E、只适用于变化磁场的情形

A、磁感应强度沿任意闭合回路的环流等于零，说明闭合回路所包围的所有电流代数和为零

B、磁感应强度沿任意闭合回路的环流等于零，说明闭合回路内没有电流穿过

C、安培环路定理说明，磁感应强度仅与闭合回路包围的电流有关

D、磁感应强度沿任意闭合回路的环流等于零，说明闭合回路所包围的传导电流代数和为零

对于磁场的安培环路定理下列说法正确的是：

A、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流、极化电流以及变化电场四者产生的磁场之和。

B、磁场强度是空间中所有的传导电流、位移电流两者产生的磁场之和。

C、磁场强度是空间中所有的传导电流、磁化电流和位移电流三者产生的磁场之和。

D、磁场强度的环量只与穿过闭合回路的传导电流、位移电流有关。

E、只适用于恒定磁场的情形

A、相对速度向右，牵连速度向上，则绝对速度必向右上

B、绝对速度向右，牵连速度向上，则相对速度必向右下

C、牵连速度向上，绝对速度向左，则相对速度必向左下

D、相对速度向右，绝对速度向上，则牵连速度必向右上