两级共射级阻容耦合放大电路，若将第二级换成射级输出器，则第一级电压放大倍数将（）。

A.提高

B.降低

C.不变

两级共发射极阻容耦合放大电路如图4.28所示，若晶体管VT₁的β₁=60，r_be1=2kΩ，VT₂的β₂=100，r_be2=2.2kΩ，其他参数如图4.28(a)所示，各电容的容量足够大。试求放大电路的A_u、R_i、R_o。

   

一个单级阻容耦合共射放大电路的中频电压增益为40dB，通频带是20Hz～20kHz，最大不失真交流输出电压的范围是-3～+3V。

如图2-32所示。它为三级共集—共射—共射的阻容耦合放大电路。已知：U_CC=15V，R_b1=150kΩ，R_e1=20kΩ，R_b22=100kΩ，R_b21=15kΩ，R_c2=5kΩ，R_e2=100Ω，R_e2=750Ω，R_b32=100kΩ，R_b31=22kΩ，R_c3=3kΩ，R_e3=1kΩ，R_L=1kΩ，三个晶体管的电流放大倍数均为β=50，U_BEQ=0.7V。试求电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

   

A、出现削顶

B、出现削底

C、出现双向

D、不产生

某阻容耦合单级共射极放大电路放大倍数的对数幅频特性如下图所示，试解答下列问题：

  

  (1)放大电路的中频电压放大倍数是多大？

  (2)上限频率f_H和下限频率f_L是多少？

  (3)当信号频率是下限频率f_L时，实际的电压放大倍数为何值？输出电压与输入电压的相位差φ为何值？

A、共射电路

B、共集电路

C、共基电路

D、共源电路

E、共漏电路

A、45°

B、-225°

C、-45°

D、-135°

自选元件库中其他npn晶体管代替Q2n2222/Q2n2220,采用《单级小信号晶体管共射放大电路仿真实例》中的完整电路拓扑构建带极间串联电压负反馈的两级阻容耦合共射放大电路,1)对晶体管进行含参变量扫描的输入特性、输出特性分析,写明分析步骤,配相应仿真过程与结果截图;2)对完整电路进行AC扫描和噪声分析,并分别扫描两级发射机旁路电阻对电路频率特性的影响,写明分析步骤,配相应仿真过程与结果截图,在图中标出特征参数,并计算图中无法直接标出的特征参数;3)对完整电路进行中频瞬态分析和傅里叶分析,写明分析步骤,配相应仿真过程与结果截图,在图中标出特征参数,并计算图中无法直接标出的特征参数。4)扫描分析极间反馈电阻对电路的交流性能指标的影响, 写明分析步骤,配相应仿真过程与结果截图,在图中标出特征参数,计算图中无法直接标出的特征参数,并给出影响的规律性结论

A、截止状态

B、线性放大状态

C、饱和状态

D、开关状态

E、跟随状态

F、直流耦合状态