在FET工作时必须[图]的是 场效应管， [图]的是 场效应...

一N沟道EMOSFET组成的电路如图3-11所示，要求场效应管工作于饱和区，I_D=1mA，V_DSQ=6V，已知管子参数为，V_GS(th)=2V，设λ=0，试设计该电路。

   

各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off)，并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。

已知FET的特性曲线如下图所示，试判断它是哪一类场效应管?开启电压V_TH或夹断电压V_P约为多少?饱和电流I_DSS约为多少?

计算图2．4．10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0．5mA／V2，VP=一2V。

A、a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET

B、a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET

C、a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET

D、a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET

当=0V时，不可能工作在恒流区的场效应管是 。

A、结型场效应管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

D、无法判断

A、N沟道结型场效应管

B、N沟道增强型MOS管

C、P沟道耗尽型MOS管

D、P沟道结型场效应管

工作在恒流状态下的场效应管，关于其跨导，下列说法正确的是 。

A、与成正比

B、与成正比

C、与成正比

D、与成正比

工作在恒流状态下的场效应管，关于其跨导，下列说法正确的是 。

A、与成正比

B、与成正比

C、与成正比

D、与成正比

工作在恒流状态下的MOS场效应管，关于其跨导，下列说法正确的是 。

A、与成正比

B、与成正比

C、与成正比

D、与成正比