题目内容
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[主观题]
比较分析二极管、GTO、SCR、P-MOSFET、IGBT等电力电子器件的驱动电压（电流）波形要求，并分析其优缺点。
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第1题
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_ __，属于半控型器件的是__ _，属于全控型器件的是 _ _；属于单极型电力电子器件的有_ _，属于双极型器件的有_ _，属于复合型电力电子器件得有 __ _；在可控的器件中，容量最大的是_
第3题
以下电力电子器件 Power MOSFET、晶闸管、IGBT、电力二极管分别属于哪一类器件（）。
A、全控、半控、全控、不控
B、全控、半控、全控、半控
C、不控、半控、全控、不控
D、全控、全控、全控、不控
第9题
关于电力电子器件驱动，表述正确的是下面哪个？
A、IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。
B、GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
C、MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。
D、MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。
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