CPU可以按地址随机访问的存储器是（）

计算机对存储器的要求是速度快、容量大、价格低，主存储器是CPU按照地址进行随机读写的存储器，主存的特点是(3)，主有的最大容量与主存的地址位数有关，64MB的主存，地址需要(4)位(二进制数)。

A．CPU访问不同单元需要的时间不同

B．CPU访问任何单元的速度相同

C．CPU访问地址小的单元，速度较快

D．访问时间不固定

下面关于存储器的描述中，哪一个是正确的?( )

A．CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的，存储容量越大，访问存储器的时间越长

B．随机半导体存储器中的任何一个单元地址都可以随机访问

C．ROM中的任何一个单元都不能随机访问

D．因为动态存储器是破坏性读出的，因此它有重写电路，对该地址读出后要重写

【基本概念的理解】单选题【每小题3分，共60分】 1、下列不属于计算机存储体系的是（ ） A. 内存 B. Cache C. 外存 D. 寄存器堆 2、下列关于主存的描述，错误的是（ ） A. 用来存储CPU需要执行的指令和数据。 B. 永久性存放用户的程序和数据。 C. 主存属于半导体动态存储器，需要刷新操作。 D. 主存与CPU一起构成主机的主要部件。 3、下列关于虚拟存储器，描述错误的是（ ） A. 指令可以显式地在指令中使用虚拟存储器的地址。 B. 虚拟存储器也是一种存储器，它与主存之间存在对应的地址映射关系。 C. 虚拟存储器仅仅是一个逻辑模型，物理形态上不存在。 D. 访问内存的速度比访问虚拟存储器快。 4、下列关于存储器的各项叙述，正确的是（ ） A. 静态存储器依靠电容来存储信息，不需要刷新，需要电源供电才能保存信息。 B. 动态存储器依靠双稳态电路来存储信息，需要定时刷新。 C. 硬盘属于磁表面存储器，能长期保存数据，读数据的操作是非破坏性读出。 D. 移动硬盘是一种半导体存储器，能保存大量的数据。 5、下列对于RAM和ROM，描述错误的是（ ） A. 两者都属于半导体存储器类型。 B. 两者都采用随机访问方式，访问时间和存储单元的地址码无关。 C. 主存属于是一种RAM型的存储器。 D. 可以从ROM存储器读数据，但任何条件下都不能对ROM存储器写入数据。 6、对硬盘的读写操作，采用的存储器存取方式是（ ） A. 随机访问方式； B. 顺序存取方式； C. 直接存取方式； D. 突发存取方式； 7. 下列关于数据传输率，表述错误的是（ ） A. 数据传输率等价于带宽，指的是单位时间内数据的传输量。 B. 数据传输率等于数据传输的位宽除以传输周期。 C. 数据传输率等于数据传输的位宽乘以传输频率。 D. 数据传输率的单位可以表示为IPS，bPS和MBPS。 8、下列适合用做Cache的存储器是（ ） A. 静态存储器 B. 动态存储器 C. 磁存储器 D. 光存储器 9、下列各种存储单元的电路中，读数据时属于破坏性读出的存储是（ ） A. 双极型存储单元 B. 静态MOS型六管存储单元 C. 动态MOS四管存储单元 D. 动态MOS型单管单元 10、对下列几种ROM芯片，描述正确的是（ ） A. PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据。 B. FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。 C. EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。 D. EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。 11、下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（ ） A. 按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一刷新。 B. 刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。 C. 刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。 D.集中式刷新方式的缺点是容易形成内存访问的死区时间，异步刷新方式即可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性。 12、下列对于磁层的磁化，描述错误的是（ ） A. 典型的磁化方式有两种：水平磁化和垂直磁化。 B. 水平磁化方式形成的位密度远低于垂直磁化方式。 C. 磁层保持静止不动而磁头移动，通过磁头线圈感应电势的变化来读出数据。 D. 写入数据时，利用导电线圈中的写入电流产生的磁场来对磁层材料进行磁化，通过磁化状态的分布模式来存储信息。 13、下列不属于磁盘寻址信息的是（ ） A. 圆柱面号 B. 磁头号 C. 扇区号 D. 总线地址 14、下列各项信息中，不可能在磁盘扇区中保存的信息是（ ） A. 标志区 B. CRC校验码 C. 文件分配表 D. 数据区 15、下列对磁盘相关概念描述，错误的是（ ） A. 磁盘接口的工业标准，以前曾采用过SCSI、IDE等，现在主要采用SATA接口标准。 B. 磁盘有格式化容量和非格式化容量的区别，通常格式化容量小于非格式化容量，且格式化容量等于盘面数、磁道数、磁道周长、位密度这几个参数的乘积。 C. 磁盘的发展趋势是容量越来越大、带宽越来越高、体积却越来越小。 D. 现代计算机系统，广泛采用磁盘+固态硬盘的外存架构模式，既能满足大数据量存储的需求，也能提高存取的速度。 16、下列的磁记录编码方式中，需要提供同步信号才能实现数据读操作的方式是（ ） A. 不归零-1制 B. 调相制 C. 调频制 D. 都需要同步信号 17、下列对于光盘的描述，错误的是（ ） A. 它是利用激光来照射存储介质，使介质发生特定的物理、化学特性变化，通过这种方式来记录信息。 B. 光盘的存储介质类型，主要有形变型、相变型和磁光型等等。 C. 普通CD光盘采用近红外光，DVD光盘采用红光，BD光盘采用蓝光来作为激光源，激光波长越来越大，对应的存储密度也越来越高。 D. 激光会在光盘盘面的存储介质上留下光道，盘面上的光道不是同心圆，而是由内向外、轨迹连续的螺旋线。 18、下列按内存寻址，而不是按地址码寻址的存储器是（ ） A. 双端口存储器 B. 联想存储器 C. 并行储器 D. 虚拟存储器 19、下列对于Cache和主存之间的地址映射方式，错误的描述是（ ） A. 采用直接映射方式，主存块只能映射到与自己组内序号相同的Cache块位置。 B. 采用全相联映射方式，主存块可以映射到Cache中的任何一个数据块位置。 C. 采用组相联映射方式，主存块只能映射到与自己组内块序号相同的Cache分组中。 D. Cahe容量固定时，全相联映射方式能使对Cache的访问命中率最高，但Cache访问命中的判断速度却是组相联映射方式最快。 20、下列关于虚拟存储的相关概念，描述错误的是（ ） A. 虚拟存储器应为不是一个物理存储器，因此它并不能增加主存的逻辑存储空间。 B. 虚拟存储器是在外存基础上抽象而成的一种存储器，因此访问外存的操作可以相应转换成访问虚拟存储器的操作。 C. 虚拟存储器是实现主存和外存之间数据交互操作的一种技术途径，它需要通过操作系统和硬件的配合才能实现。 D. 快表TLB本质上是页表中存储的一部分页表项，把频繁使用的页表项用高速存储器单独进行存储，可以提高虚实地址的转换速度。

8086CPU访问存储器，当地址A₀=0时（）。

A. 如果访问的是一个字节，该字节在偶存储体中

B. 如果访问的是一个字节，该字节在奇存储体中

C. 如果访问的是一个字，该字的低8位在偶存储体中

D. 如果访问的是一个字，该字的高8位在偶存储体中

A、物理地址

B、偏移地址

C、逻辑地址

D、段地址

计算机的主存储器用来存储数据和指令，为了实现按地址访问，每个存储单元必须有一个唯一的地址。PC机主存储器的编址单位是【 】。

A.假若CPU向外输出20位地址，则它能直接访问的存储空间可达1MB

B.PC在使用过程中突然断电，SRAM中存储的信息不会丢失

C.PC在使用过程中突然停电，DRAM中存储的信息不会丢失

D.外存储器中的信息可以直接被CPU处理

下列特点中，不属于冯·诺依曼计算机的基本特点的是( )。

A．存储器按地址访问

B．既可以采用二进制，又可以采用十进制

C．计算机分为五大功能模块

D．计算机采用“存储程序控制”

下列选项的叙述中，正确的是( )。

A．假若CPU向外输出20位地址，则它能直接访问的存储空间可达1MB

B．PC在使用过程中突然断电，SRAM中存储的信息不会丢失

C．PC在使用过程中突然断电，DRAM中存储的信息不会丢失

D．外存储器中的信息可以直接被CPU处理